MEMORIA RAM Y MEMORIA ROM
Las memorias RAM son aquellas que permiten accesos de lectura y escritura de datos e instrucciones por
parte del procesador o cualquier otro dispositivo con capacidad para ello. Tienen la particularidad de que
mantienen el dato mientras tienen energía, y lo pierden si esta falla, por lo que también se les llama
Volátiles. En un principio el acrónimo bastaba para distinguirlas de las memorias ROM, módulos de
memoria de sólo lectura cuyos datos se grababan en el proceso de fabricación de la memoria y que por lo
tanto no perdían la información en ausencia de energía.
aparición de los semiconductores surgieron las RAM transistorizadas. Estas se componen de una matriz
de elementos de almacenamiento (flip-flop o biestables) mas una lógica combinacional de acceso. Son
memorias bastante rápidas, pero limitadas en el aspecto de la integración.
Debido a esta limitación aparecieron las memorias RAM llamadas dinámicas, en las cuales los elementos
MEMORIA ROM
La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de sólo lectura, es la memoria que se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos. La mayoría de los ordenadores tienen una cantidad pequeña de memoria ROM (algunos miles de bytes).
TIPOS DE MEMORIAS SRAM COMERCIALES
Una SRAM está organizada como un array de elementos de memoria junto con un decodificador de
direcciones y diversos adaptadores de entrada/salida. Una celda de memoria puede representarse como un
latch tipo D sincronizado, una puerta AND y un adaptador de salida
MEMORIAS SRAM SINCRONA
Las SRAM síncronas son memorias SRAM en las que las señales de control no llegan directamente al los
dispositivos, sino que están mediatizadas por un latch síncrono. El reloj que estimula estos latch es el del
sistema de manera que el funcionamiento del dispositivo de memoria está sincronizado con el reloj del
sistema. Toda esta lógica puede estar incorporada dentro del módulo de manera que el procesador se
limite a colocar la dirección y activar la transacción, n periodos de reloj después obtendrá los datos de
salida. Se facilita la interfaz de módulo de memoria y el comportamiento del sistema es más previsible.
MEMORIA DRAM
Las celdas de almacenamiento en una DRAM se construyen a partir de condensadores. Esto reduce el
número de transistores lo que permite mayor integración. Una celda típica consiste en un condensador,
un transistor que sirve de puerta de control de carga o descarga del condensador más unos elementos de
entrada/salida triestado:
FPM DRAM
Las memorias FPM DRAM son las mismas memorias DRAM salvo que se ha conseguido que en el
modo página los datos estén disponibles un poco antes desde el momento en que se activa la señal CAS
(TCAC). Lo normal es que el dato esté disponible mientras la señal CAS está activa y desaparezca cuando
el procesador la desactive, así el procesador tiene control sobre el tiempo durante el cual puede disponer
del dato. Sin embargo, antes de volver a activar la señal CAS hay que respetar el tiempo de precarga de
esta señal (TCP), lo que limita el ciclo mínimo.
EDO RAM
Las EDO (Extended Out) eliminan la restricción arriba mencionada mediante la maniobra de cargar el
dato en un latch, de manera que el procesador pueda desactivar la CAS y acceder al dato durante el
tiempo de precarga de ésta. Igualmente sigue controlando el tiempo disponible del dato, que no será
sustituido en hasta que el procesador no inicie un nuevo ciclo, pero ahora podrá iniciarlo ligeramente
antes.
Al parecer las EDO han incorporado también una lógica que genera automáticamente las direcciones de
columna, convirtiéndose en BEDO. El generar internamente las direcciones, aparte de facilitarle el trabajo
al procesador elimina los retardos en los que incurre éste mientras sustituye las direcciones en el bus del modulo de memoria.
SDRAM
Las memorias DRAM síncronas consisten en una memoria DRAM como la vista anteriormente más una
lógica de sincronización con el reloj del sistema. Esta lógica lo único que hace es cargar las señales
pertinentes para invocar una transacción de datos en la RAM en momentos precisos, determinados por
una señal de reloj. Así mismo los efectos de esa carga de señales tienen lugar en instantes previstos lo que
facilita la tarea de manipulación al procesador. Si las operaciones de la DRAM, la activación de RAS,
CAS etc, debían atender a los intervalos de tiempo mínimos entre ellas, en las SDRAM toda esta interfaz
irá oculta en comandos y todas las operaciones vienen referidas al flanco de subida del reloj. Una lógica
de sincronización se encargará de decodificar el comando y activar las señales y esta lógica asegurará que
los datos estarán en el bus n periodos después de iniciada la transacción.
Al complicarse la lógica interna de la memoria, dotándola de mayor autonomía, las SDRAM incorporan
nuevas funcionalidades como el burst mode mediante el cual la propia memoria es capaz de generar las
direcciones de columna para una determinada dirección de fila (un poco más complejo que el modo a
ráfagas)
DDR
La arquitectura DDR consiste en un sistema de prebúsqueda de 2*n bits (siendo n el tamaño del bus) con
una interfaz diseñada para transmitir dos palabras en un ciclo de reloj. Un simple acceso de lectura o
escritura consiste realmente en un acceso de 2*n bits de ancho. En un ciclo de reloj se obtiene el dato de
tamaño 2n y en dos semiciclos se transmiten hacia el exterior. Una línea, DQS es utilizada como strobe
bidireccional, en las lecturas (de memoria) es el módulo de memoria quien lo activa al principio del
semiperiodo, en las escrituras es el controlador de memoria quien debe activarlo a mitad del semiperiodo
El módulo de memoria trabaja con dos señales de reloj diferenciales CK y CK#. Los comandos,
direcciones y señal de control son cargados en el flanco positivo del reloj CK. Los datos son referidos a
ambos flancos de las señal DQS.
RAMBUS
Un canal Direct Rambus incluye un Controlador y uno o más módulos RDRAM conectados por medios
de un bus. Se trata de un bus muy simple operando a muy alta velocidad. El controlador está situado en
un extremo del bus, los módulos de memoria van distribuidos a lo largo del mismo y el otro extremo debe
estar cerrado mediante un apropiado terminador.
El canal usa 18 líneas de datos, con capacidad, cada una de ellas de alcanzar 800 Mbps. Además requiere
un total de 76 líneas de control entre las que se incluyen las líneas de alimentación.
El controlador es capaz de suministrar un flujo de 1.6Mbytes por segundo de ancho de banda y usa la
mitad de líneas que una SDRAM convencional o una DDR. La granularidad mínima se reduce a un único modulo RDRAM
RDRAM
Lo que sigue es una descripción de un módulo de memoria RDRAM que nos va a aproximar al
funcionamiento de un RAMBUS. El módulo, uno cualquiera, es una Direct RDRAM 128/144Mbit
organizado como 8M palabras de 16 o 18 bits. Puede alcanzar frecuencias de transferencia de 600MHz
hasta 800MHz y sostener tasas de 1.25ns por dos bytes. Permite el control separado de filas y columnas y
alberga 32 bancos. Soporta hasta cuatro transacciones simultáneas.
LA MEMORIA VIRTUAL
La memoria virtual es una técnica de gestión de la memoria que permite que el sistema operativo disponga, tanto para el software de usuario como para sí mismo, de mayor cantidad de memoria que esté disponible físicamente. La mayoría de los ordenadores tienen cuatro tipos de memoria: registros en la CPU, la memoria caché (tanto dentro como fuera del CPU), la memoria RAM y el disco duro. En ese orden, van de menor capacidad y mayor velocidad a mayor capacidad y menor velocidad.
Muchas aplicaciones requieren acceso a más información (código y datos) que la que se puede mantener en memoria física. Esto es así sobre todo cuando el sistema operativo permite múltiples procesos y aplicaciones ejecutándose simultáneamente. Una solución al problema de necesitar mayor cantidad de memoria de la que se posee consiste en que las aplicaciones mantengan parte de su información en disco, moviéndola a la memoria principal cuando sea necesario. Hay varias formas dE hacer esto.
BUFFER DE MEMORIA
Buffer es para la informática la memoria temporal que permite que al iniciarse un programa o archivo que necesita información, éste pueda almacenarla hasta terminar su trabajo, pudiendo así evitar detenciones permanentes ante la posible falta de datos.
MODULOS DE MEMORIA
MEMORIA G-RAM / V-RAM
Esta memoria se encarga exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos, mientras una aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria principal RAM, se mantenga disponible para otros procesos. Aunque hay que tener en cuenta que mientras la V-RAM no sea solicitada, esta se utilizara como RAM por la computadora.
MEMORIA RAM TIPO DDR2 Y SO-DDR2
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base decapacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
MEMORIA RAM TIPO DDR3 Y SO-DDR3
DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan.
MEMORIA RAM TIPO DDR4 Y SO-DDR4
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado inicialmente por la firma Samsung® para el uso con nuevas tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), cuentan con 288 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación con soporte Intel® Haswell-E (X99). También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
ESTRUCTURA LOGICA DE LA MEMORIA RAM
Desde las primeras computadoras, la estructura lógica ha sido la siguiente:
Memoria base: desde 0 hasta 640 KB (KiloBytes), es en esta zona dónde se almacena la mayoría de los programas que el usuario utiliza.
Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 MB (MegaBytes), carga unas estructuras llamadas páginas de intercambio de información y unos bloques de memoria llamados UMB.
Bloques UMB (UpperMemory Blocks): se trata de espacios asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a la configuración de diversos dispositivos como el video, en algunos casos estos espacios quedan sin utilizar, por lo que se comenzó a pensar en utilizarlos de modo funcional, lo que se logra con optimizadores de memoria como el comando "memmaker" de Ms-DOS®, que se utilizaba estos bloques para cargar ciertos Drivers (controladores que permiten al Hardware ser utilizado en el sistema).
Memoria expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a programas en memoria superior, la cual algunas veces no se utilizaba debido a la configuración del equipo y con este método se puede utilizar.
Memoria extendida: de 1.024 MB hasta 4 GB (GigaBytes), se cargan todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.
Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existían utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft® Ms-DOS necesitaba de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin él solo reconocía 640 KB aunque hubiera instalados más de 1 MB.
